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氮化铝陶瓷薄片

氮化铝薄片加工

性能:常压下的升华分解温度为2450C。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)x10-6c。多晶AIN热导率达260W/(m.k)比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200C的极热,此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化 侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。


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产品详情

氮化铝薄片

氮化铝陶瓷

性能:常压下的升华分解温度为2450C。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)x10-6c。多晶AIN热导率达260W/(m.k)比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200C的极热,此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化 侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

优缺点:(1)热导率高(约320/M.K)接近Beo和sic,是A1203的5倍以上。

(2)热膨胀系数(4.5x10-6c)与si(3.5-4x10-6c)和(6x10-6c)匹配;

(3)各种电性能(介电常数,介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;

(4)机械性能好,康折强度高于A1203和Beo陶瓷,可以常压烧结;

(5)光传输特性好

(6)无毒

应用:1、氮化铝粉末纯度高,粒径小,活性大,是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料

2、氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位。

4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚,AI蒸发器,磁流体发电器装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口,氮化铝薄膜可成。高频压电元件,超大规模集成电路基片等。

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